氮化鋁（AlN）陶瓷憑借與硅芯片相近的熱膨脹系數(shù)、優(yōu)異的熱傳導性能、良好的耐沖擊特性、高絕緣電阻、高介電強度，以及可實現(xiàn)多層布線等顯著優(yōu)勢，成為集成電路散熱基板材料領域備受矚目的新星?；瘜W鍍作為陶瓷表面金屬化的常用技術手段，具備操作簡便、成本低廉、節(jié)能且環(huán)保等諸多優(yōu)點。目前，關于 AlN 陶瓷表面化學鍍銅的研究已廣泛開展，但針對熱處理對 Cu-AlN 體系組織與性能影響的研究卻相對匱乏?；诖?，金瑞欣研究采用化學鍍銅技術實現(xiàn) AlN 陶瓷表面的金屬化處理，并深入探究熱處理對銅層物相結構、膜基熱導率以及膜基結合力的影響規(guī)律?

在對 AlN 陶瓷基板實施化學鍍銅之前，需依次進行除油、粗化、敏化、活化等預處理操作，具體流程如下圖所示。首先，將 AlN 陶瓷基板置于質量分數(shù)為 4% 的 NaOH 溶液中進行堿洗處理，以此去除基板表面附著的油污和雜質。隨后，采用質量分數(shù)為 10% 的 HNO?溶液進行粗化處理，該步驟旨在增加陶瓷基板表面的粗糙度，通過擴大膜層與基板間的比表面積，進而顯著提升鍍層與基板之間的結合力。而敏化處理則是使基板表面吸附一層具有還原性的離子，這些離子能夠還原具有催化作用的貴金屬離子；緊接著進行活化處理，在基板表面均勻沉積一層具有催化活性的貴金屬原子層，從而誘發(fā)后續(xù)的化學鍍反應。本實驗中，敏化液采用 SnCl?溶液，活化液采用 PbCl?溶液。完成預處理后，即可開展化學鍍工序。化學鍍液的具體配方如下：10 - 15 g/L CuSO4·5H2O、20 - 30 mL/L 甲醛、10 - 15 g/L 酒石酸鉀鈉、10 - 15 g/LEDTA2Na、10 - 20 mg/L 2’2 - 聯(lián)吡啶、10 - 20 mg/L 亞鐵氰化鉀。在 pH 值為 12.5、溫度 45℃的鍍液環(huán)境中施鍍 1 小時，便可獲得覆銅 AlN 基板。之后，對所得覆銅 AlN 基板進行熱處理，熱處理工藝為：在 200 - 500℃的高純 Ar 氣氛保護下保溫 1 小時。

金瑞欣采用高分辨 X 射線衍射儀（Rigaku SmartLab 9kw）、掃描電子顯微鏡（HITACHI SU8220）及其附帶的 EDS 能譜，對鍍層的成分和表面形貌進行表征分析；利用激光導熱儀（LFA467）測量基板的熱擴散系數(shù)，并據(jù)此計算基板的熱導率；借助 MFT - 4000 型多功能材料表面性能試驗儀，通過劃痕法測定膜層的結合力，具體測試參數(shù)為：劃痕長度 5 mm，加載速度 50 N/min，最終載荷 50 N。

10多年來，金瑞欣一直專注于陶瓷電路板的研發(fā)生產，有豐富的陶瓷電路板制造經(jīng)驗。精通DPC、AMB、DBC、LTCC、HTCC制作工藝;擁有先進陶瓷生產設備和技術，以快速的交期和穩(wěn)定的品質滿足客戶的研發(fā)進程和生產需要，品質優(yōu)先，占領市場先機。陶瓷板交期打樣7~10天，批量10~15天，具體交期要看陶瓷電路板圖紙、加工要求及其難度，快速為您定制交期，以“品質零缺陷”為宗旨，提供優(yōu)質的產品和服務。