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[行業(yè)動態(tài)]規(guī)模達84億美元的IGBT要用哪些陶瓷基板

IGBT是現(xiàn)代電力電子器件中的主導型器件，是國際上公認的電力電子技術第三次革命最具代表性的產(chǎn)品。IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，能夠根?jù)信號指令來調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等，廣泛應用軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域，可想而知它有多么重要

2023-03-28 http://www.ymmxhf.cn/Article/guimoda84yimeiyuande.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化鋁HTCC基板的特點及應用

氮化鋁（AlN）陶瓷具有高熱導率、低介電常數(shù)、高強度、高硬度、無毒性、熱膨脹系數(shù)與Si相近等良好的物理性能，且具有優(yōu)異的化學穩(wěn)定性和耐腐蝕性能，采用氮化鋁作為介質(zhì)隔離材料制備的AlN多層布線共燒基板，是大功率模塊、大規(guī)模集成電路的理想散熱和封裝材料。

2023-03-27 http://www.ymmxhf.cn/Article/danhualvHTCCjibandet.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB Si3N4 陶瓷基板在高功率半導體器件中的應用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機車等眾多工業(yè)領域得到越來越廣泛的應用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔負絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機械性能和導熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機械性能，AMB Si3N4陶瓷基板備受矚目。1、Si3N4 為何要用AMB工藝目前功率半導體器件所用的陶瓷基板多為DBC（Direct Bond Copper，直接覆銅）工藝，Al2O3與ZTA等氧化物陶瓷以及AlN可使用DBC技術與銅接合：將無氧銅經(jīng)熱氧化或化學氧化制程于表面產(chǎn)生一Cu2O層，于1065~

2023-03-22 http://www.ymmxhf.cn/Article/AMBSi3N4taocijibanza.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊構成各部件的材料

目前，功率器件和模塊主要采用引線鍵合的互連工藝和平面封裝結(jié)構。圖1為普通IGBT模塊的結(jié)構示意圖。從上圖可以看出，IGBT模塊共由7層結(jié)構構成，大致可以分成三部分：芯片、DBC和散熱基板。每部分之間由焊錫連接而成。IGBT是在晶閘管的基礎上發(fā)展而來，但與傳統(tǒng)的晶閘管相比，IGBT模塊省去了內(nèi)部的陰極和陽極金屬層，分別由芯片表面引出的焊線及DBC上層銅板代替。除此之外，原先的鎳金屬緩沖層也被去掉了，其代價是單個IGBT芯片的容量減少。為了彌補這一缺陷，需要在DBC板上安置更多的IGBT芯片。IGBT模塊是由不同的材料層構成，如金屬、陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來改善器件相關熱性能的硅膠。它們的熱膨脹系數(shù)以及熱導率存在很大的差異，在器件的工作過程中會出現(xiàn)意想不到的問題。物理上，熱導率代表了物體導熱性能的

2023-03-16 http://www.ymmxhf.cn/Article/IGBTmokuaigouchengge.html
[行業(yè)動態(tài)]制備高導熱氮化硅陶瓷基板的影響因素淺析

氮化硅在綜合性能方面表現(xiàn)最優(yōu)，這無疑是一種非常理想的散熱性能良好的基板材料。目前國內(nèi)市場上，氧化鋁和氮化鋁陶瓷基片已經(jīng)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，但高導熱氮化硅陶瓷作為商用電子器件的基板材料仍是一大難題，只有國外的一些公司可以實現(xiàn)氮化硅陶瓷基板商業(yè)化，那到底是什么因素阻礙了這么優(yōu)秀的的陶瓷基板發(fā)展呢？這就得從氮化硅獨特的化學成分和微觀結(jié)構說起。晶格氧對高導熱氮化硅陶瓷的影響氮化硅的主要傳熱機制是晶格振動，通過聲子來傳導熱量。晶格振動并非是線性的，晶格間有著一定的耦合作用，聲子間會發(fā)生碰撞，使聲子的平均自由程減小。另外，Si3N4晶體中的各種缺陷、雜質(zhì)以及晶粒界面都會引起聲子的散射，也等效于聲子平均自由程減小，從而降低熱導率?！锜Y(jié)體的典型微觀結(jié)構研究表明，在諸多晶格缺陷中，晶格氧是影響氮化硅陶瓷熱導率的主要缺陷之一。氧原

2023-03-10 http://www.ymmxhf.cn/Article/zhibeigaodaoredanhua.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB陶瓷基板在IGBT上的應用介紹

根據(jù)封裝結(jié)構和應用要求，陶瓷基板可分為平面陶瓷基板和三維陶瓷基板兩大類。再根據(jù)實現(xiàn)陶瓷基板覆銅后再刻蝕的不同工藝，當前較普遍的陶瓷散熱基板分為 HTCC、LTCC、DBC、DPC、AMB 等。AMB 工藝因可靠性更優(yōu)，逐漸成為主流應用。其中 Al2O3陶瓷基板主要采用 DBC 工藝，AlN 陶瓷基板主要采用DBC 和AMB工藝，Si3N4陶瓷基板更多采用 AMB 工藝

2023-03-08 http://www.ymmxhf.cn/Article/AMBtaocijibanzaiIGBT.html
[常見問題]什么是IGBT？結(jié)構解釋和拆解

IGBT （絕緣柵雙極晶體管）作為一種功率半導體器件，廣泛應用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領域。具有節(jié)能、安裝方便、維護方便、散熱穩(wěn)定等特點。它是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。簡單概括一下，IGBT可以說是MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和BJT的結(jié)合體（雙極結(jié)型晶體管）。即它結(jié)合了MOSFET的柵壓控制晶體管（高輸入阻抗），利用BJT的雙載流子來達到大電流的目的（壓控雙極型器件）。那么這樣的組合內(nèi)部結(jié)構是怎樣的呢？一、IGBT模塊詳解二、IGBT內(nèi)部結(jié)構三、IGBT 內(nèi)部電流流動四、如何拆卸IGBT模塊？五、常見問題一、IGBT模塊詳解以拆解的IGBT模塊型號為：FF1400R17IP4為例。模塊外觀及等效電路如圖1所示。本模塊長寬高分別為：25cmx8.9cmx3.8cm。

2023-03-06 http://www.ymmxhf.cn/Article/shimeshiIGBTjiegouji.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化硅AMB基板：新能源汽車SiC功率模塊的首選工藝

Si3N4-AMB陶瓷基板熱導率高于90W/mk，厚銅層具有較高熱容量以及傳熱性，同時AMB工藝可將厚銅金屬(800μm)焊接到相對較薄的氮化硅陶瓷上，形成高載流能力；

2023-02-27 http://www.ymmxhf.cn/Article/danhuaguiAMBjibanxin.html
[行業(yè)動態(tài)]高導熱氮化硅陶瓷基板產(chǎn)業(yè)化進展

要有效解決器件的散熱問題，必須選擇高導熱的基板材料。近年來已經(jīng)大規(guī)模生產(chǎn)的應用較為廣泛的陶瓷基板主要有：Al2O3、BeO、SiC、AlN、Si3N4等。

2023-02-17 http://www.ymmxhf.cn/Article/danhuaguitaociban.html
[行業(yè)動態(tài)]PCB線路板什么是沉金？沉金有哪些優(yōu)點？

沉金，是電路板加工中的一道工序，就是電路圖中所需焊接與貼片的PAD，沉上金，一防止焊盤氧化，二是利與焊接。順便講一下沉金板與鍍金板的區(qū)別

2023-02-15 http://www.ymmxhf.cn/Article/PCBxianlubanshimeshi.html
[行業(yè)動態(tài)]高功率半導體激光器過渡熱沉封裝技術研究

摘要：近些年，在市場應用驅(qū)動下，半導體激光器的輸出功率越來越高，器件產(chǎn)生的熱量也在增加，同時封裝結(jié)構要求也更加緊湊，這對半導體激光器的熱管理提出了更高的要求。當今，激光器的外延生長技術和芯片加工工藝已經(jīng)成熟，封裝技術的提升已經(jīng)成為解決散熱問題的關鍵，其中過渡熱沉技術能有效降低激光器的熱阻，提高可靠性，而且便于操作，已經(jīng)是高功率半導體激光器封裝的首要選擇。從過渡熱沉散熱原理、熱應力、過渡熱沉材料和焊料選擇等方面對過渡熱沉技術進行了研究，并對未來的研究熱點進行了探討。1 研究背景半導體激光器具有體積小、質(zhì)量輕、能耗小、易調(diào)制、可以批量化生產(chǎn)等眾多優(yōu)點，被廣泛應用于工業(yè)加工、信息通信、醫(yī)療、生命科學和軍事等領域。雖然半導體激光器電光轉(zhuǎn)換效率高，但在激光器芯片有源區(qū)內(nèi)存在非輻射復合損耗和自由載流子的吸收，工作時會產(chǎn)生

2023-01-30 http://www.ymmxhf.cn/Article/gaogonglvbandaotijig.html
[行業(yè)動態(tài)]Pcb陶瓷基板磚孔|覆銅|蝕刻工藝流程

總所周知，PCB陶瓷基板在沒有做加工之前是光板，呈灰白色，金華化后的PCB陶瓷基板具備更好的導熱性能、電器性能。今天小編就來分享一下PCB陶瓷基板的磚孔、覆銅、蝕刻的工藝以及流程。

2022-12-16 http://www.ymmxhf.cn/Article/Pcbtaocijibanzhuanko.html
[行業(yè)動態(tài)]高導熱率氮化硅散熱陶瓷基板材料的研究進展

摘要：針對越來越明顯的大功率電子元器件的散熱問題，主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進展。對影響氮化硅陶瓷熱導率的因素、制備高熱導率氮化硅陶瓷的方法、燒結(jié)助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機械性能和介電性能等方面的最新研究進展作了詳細論述，最后總結(jié)了高熱導率氮化硅作為散熱基板材料的發(fā)展趨勢。引言隨著我國高鐵、航天、軍工等領域的快速發(fā)展，未來對大功率電力電子器件的需求也將越來越大。為了適應更加復雜、苛刻的應用條件，大功率電力電子器件朝著高溫、高頻、低功耗以及智能化、模塊化、系統(tǒng)化方向發(fā)展，這對整個電子器件的散熱提出了嚴峻的挑戰(zhàn)，而功率器件中基板的作用是吸收，芯片產(chǎn)生的熱量，并傳到熱沉上，實現(xiàn)與外界的熱交換，所以制備高熱導率基板材料成為研發(fā)大功率模塊電子產(chǎn)品的關鍵所在。例如目前大功率 LED 的發(fā)光效率僅有

2022-12-09 http://www.ymmxhf.cn/Article/gaodaorelvdanhuaguis.html
[行業(yè)動態(tài)]關于高導熱率氧化硅散熱陶瓷的研究進展（一）

針對越來越明顯的大功率電子元器件的散熱問題，主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進展。對影響氮化硅陶瓷熱導率的因素、制備高熱導率氮化硅陶瓷的方法、燒結(jié)助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機械性能和介電性能等方面的最新研究進展作了詳細論述，最后總結(jié)了高熱導率氮化硅作為散熱基板材料的發(fā)展趨勢。

2022-12-05 http://www.ymmxhf.cn/Article/guanyugaodaorelvyang.html
[行業(yè)動態(tài)]DPC陶瓷電路板的優(yōu)點和類型你知道哪些？

由于我國科技技術不斷在前進，電子產(chǎn)品的長度不斷縮短。在數(shù)年前，誰又能想到將電腦以及手表的形式戴在手腕上？這些高科技電子產(chǎn)品中包含的組件現(xiàn)已現(xiàn)代化，這自然伴隨著它們。 DPC陶瓷電路板是在任何電子設備中充當產(chǎn)品底層支撐結(jié)構的主要組件。DPC陶瓷板只是可用于適應各種工作條件的很多不同類型的dpc陶瓷基板中的一種。一、“DPC陶瓷板”這個詞到底是什么意思？用陶瓷基材構成的薄膜鍍銅電路板成為dpc陶瓷電路板。這種類型的電路板的另一個名稱是陶瓷DPC，而這種特殊類型的薄膜鍍銅電路板是最有效地從高溫區(qū)域散熱的一種。這是由于它是由陶瓷基材構成的，陶瓷可以分解成它們的部分，在這種情況下是氧化鋁、氧化鈹和氮化鋁。這些元件可用于dpc陶瓷電路板生產(chǎn)，與其它類型的板相比，它具有較低的熱膨脹系數(shù)和較高的導電性。dpc陶瓷電路板具有提

2022-11-22 http://www.ymmxhf.cn/Article/DPCtaocidianlubandey.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷封裝基板助力MEMS壓力傳感器更加精準靈敏

傳感器是一種檢測裝置，能感應到被測量的信息，并能將感應到的信息，按一定規(guī)則改換成為電信號或其他所需方式的信息輸出，以滿足信息的傳輸、處理、存儲、顯示、記錄和控制等要求。跟著工業(yè)技術的進步，小型化、智能化、集成化的傳感器已成為未來趨勢，由此MEMS傳感器應運而生。 MEMS的全稱是微型電子機械體系（Micro-ElectroMechanical System），微機電體系是指可批量制造的，將微型組織、微型傳感器、微型執(zhí)行器以及信號處理和控制電路、直至接口、通訊和電源等集成于一塊或多塊芯片上的微型器件或體系。作為物聯(lián)網(wǎng)時代電子信息作業(yè)的“大米”，MEMS傳感器選用微電子和微機械加工技術制造，與傳統(tǒng)的傳感器比較，它具有體積小、重量輕、成本低、功耗低、可靠性高、適于批量化出產(chǎn)、易于集成和結(jié)束智能化的特征。一起在微米

2022-11-21 http://www.ymmxhf.cn/Article/taocifengzhuangjiban.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷線路板的產(chǎn)品特性介紹

金瑞欣陶瓷支架有高絕緣、耐溫性強，適用于LED芯片、UVC/UVA支架、VCSEL芯片封裝、傳感器封裝、汽車雷達等高熱元器件產(chǎn)品導熱基板、導熱電路板等。具有優(yōu)良的導熱特性，高絕緣性，大電流承載能力；優(yōu)異的耐焊錫性及高附著強度。

2022-11-15 http://www.ymmxhf.cn/Article/taocixianlubandechan.html
[行業(yè)動態(tài)]最新國內(nèi)陶瓷基板生產(chǎn)廠家十大排名

目前國內(nèi)陶瓷基板的進口比例越來越低，國內(nèi)的陶瓷基板生生產(chǎn)也已經(jīng)初見規(guī)模，相關行業(yè)的生產(chǎn)商在選購陶瓷基板的時候，不知道陶瓷基板生產(chǎn)廠家哪家比較好，或者說哪家比較適合自己的產(chǎn)品，針對這種疑問，小編經(jīng)過多方面資料查證，列出了2022年最新國內(nèi)陶瓷基板生產(chǎn)廠家十大排名前十名，僅供參考。

2022-11-14 http://www.ymmxhf.cn/Article/zuixin.html
[行業(yè)動態(tài)]片式電阻陶瓷基板以及制作工藝、應用

片式電阻陶瓷基板以及制作工藝、應用片式電阻陶瓷基板目前在電阻產(chǎn)品里面應用非常廣泛，采用電阻陶瓷基板能有效的提升熱導率、而且大大的提升了絕緣性能。今天小編就闡述是片式電阻陶瓷基板以及制作工藝。一，什么是片式電阻陶瓷基板陶瓷基板在片式電阻中起到支撐作用，通常是采用陶瓷基片，有氧化鋁陶瓷基片、氮化鋁陶瓷基片等，也有的不僅需要支撐作用，還需要有電氣性能，因此會在陶瓷基片上面做金屬化層，甚至是簡單的線路，以實現(xiàn)更好的電氣性能。由于片式電阻的尺寸越來越小，所以要求陶瓷基板在保證強度的前提下不斷向輕薄的方向發(fā)展，這就使得陶瓷基板的制造難度不斷提高。陶瓷基板的規(guī)格很多，應用領域也很廣泛。二，片式電阻陶瓷基板制作工藝片式電阻陶瓷基板制作工藝通常有薄膜工藝和

2022-11-04 http://www.ymmxhf.cn/Article/pianshidianzutaociji.html
[常見問題]陶瓷基板磁控濺射DPC工藝的特點和優(yōu)勢

陶瓷基板磁控濺射DPC工藝的特點和優(yōu)勢陶瓷基板磁控濺射DPC工藝就是用磁控濺射的方法將銅與陶瓷基板牢牢的結(jié)合起來，所以陶瓷電路板的金屬結(jié)晶性能好，平整度好、線路不易脫落，并具有可靠穩(wěn)定的性能，從而有效提升芯片與基板的結(jié)合強度。那么磁控濺射DPC工藝有什么優(yōu)勢特點呢？磁控濺射的原理和過程如下：1，磁控濺射的基本過程濺射是一種在真空狀態(tài)下通過弧光放電的方式將鈦金屬材料沉積到基材表面，從而形成一層底層薄膜的真空工藝過程?；緸R射工藝如下：電子撞擊惰性氣體原子（通常氬），使其成為離子。這些高能離子在電場的作用下轟擊鈦靶。強烈的轟擊使目標原子逃出材料表面，在電場的作用下最終在基板的表面形成一層薄膜，該原子層薄膜的厚度取決于濺射時間。2，磁控濺射全過程磁

2022-11-04 http://www.ymmxhf.cn/Article/taocijibancikongjian.html

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